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ALLOS新型Si基GaN外延片的击穿电压超过1400V

2018-02-06    

中国2017最新注册送彩金网网报道

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导语: 法国IEMN的研究团队在德国Allos提供的Si基GaN外延片上制作器件并进行了测量,测量结果显示,ALLOS 新型Si基GaN外延片击穿电压超过 1400 V。

  中照网讯 法国IEMN的研究团队在德国Allos提供的Si基GaN外延片上制作器件并进行了测量,测量结果显示,ALLOS 新型Si基GaN外延片击穿电压超过 1400 V。

  法国IEMN的研究团队在德国Allos提供的2种不同的Si基GaN外延片上制作器件并进行了测量。一种外延片是Allos最新设计的用于1200V应用的样品,在该外延片上,IMEN获得了超过1400V的垂直击穿电压和1600V的水平击穿电压。另一种外延片是Allos的用于600V应用的成熟产品,测试结果显示,水平和垂直击穿电压都超过了1200V。

  ALLOS的上述2种外延片产品没有使用C掺杂。C掺杂是Si基GaN外延片厂商常用的方法,该方法的缺点是对晶体质量和动态开关特性有负面影响。

  最新的用于1200V的外延片是来自ALLOS正在进行的内部研发项目,其尤其特性来源于ALLOS独有的应变控制和高质量晶体结构,辅以其他措施进一步抑制漏电流,提高击穿电压。这是在没有牺牲诸如晶体质量和外延片弯曲度等其他基本性能的前提下实现的。外延生长是在标准的Aixtron G5 MOCVD的反应腔中进行的。

  “现有的结果表明,我们已经达到了横向 1.7MV/cm 和纵向 2 MV/cm 的水平。我们还有一项旨在实现外延片级别进一步改进的计划。现在是时候与 1200 V 产品系列的工业合作伙伴建立强大的合作伙伴关系了。” ALLOS 首席执行官 BurkhardSlischka 说道。“由于我们是一家纯粹的外延片技术提供商,没有自己的器件制造业务,因而我们正在寻求与经验丰富的电力电子企业密切合作,以利用其基于硅基氮化镓的 1200 V 应用带来的机会。凭借我们的技术,硅基氮化镓具备与碳化硅性能相媲美的潜力,而成本仅为晶片成本的一小部分。”

编辑:严志祥

来源:材料深一度

标签:ALLOS  Si基  GaN外延片  

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